湖北鑫耀高品质砷化镓晶片项目主体建筑已基本建成

5月22日,位于黄冈高新区化工产业园的湖北鑫耀高品质砷化镓晶片项目主体建筑已基本建成,为9月建成投产打下基础。该项目致力于打造国内领先、国际知名的高品质砷化镓半导体材料生产基地。项目达产后,将形成年产70万片6英寸高品质砷化镓晶片的核心产能,产品性能对标国际一流水平。

来源:黄冈市融媒体中心 记者 余涛 通讯员 陈华 蔡美琳 摄

编辑:汪泽滋

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